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可控硅

捷捷微 可控硅JR0205U门极带阻灵敏型单向可控硅

MAIN FEATURES

 
Symbol Value Unit
IT(RMS) 2 A
IGT ≤200 μA
VTM ≤1.5 V
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
 
Parameter Symbol Value Unit
Storage junction temperature range Tstg -40-150
Operating junction temperature range Tj -40-110
Repetitive peak off-state voltage VDRM 600 V
Repetitive peak reverse voltage VRRM 600 V
 
 
 
RMS on-state current
TO-92 (TC=60℃)  
 
 
IT(RMS)
 
 
 
2
 
 
 
A
TO-251-4R/ TO-252-4R/
TO-126 (TC=72℃)
SOT-89/SOT-223/ SOT-89-2L
(TC=65℃)
Non repetitive surge peak on-state current
(tp=10ms)
ITSM 20 A
I2t value for fusing (tp=10ms) I2t 2 A2s
Critical rate of rise of on-state current dI/dt 50 A/μs
Peak gate current (tp=20μs, Tj=110℃) IGM 0.2 A
Peak gate power (tp=20μs, Tj=110℃) PGM 0.5 W
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