清货：强茂场效应管PJD50N10AL-AU_L2_000A1
PJD50N10AL 是一款 100V N沟道增强型 MOSFET，额定电流 42A，采用 TO-252AA 封装。
其优势在于先进沟槽工艺与高密度元胞设计，实现超低导通电阻：VGS=10V、ID=20A 时 RDS(on)＜25mΩ；VGS=4.5V、ID=15A 时＜28.5mΩ，有效降低导通损耗、提升系统效率。
产品符合 RoHS，无铅、无卤素，环保可靠。
适用于 DC-DC 转换、电源管理、电机驱动、负载开关等场景，是高效紧凑功率设计的理想选择。
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